松下继电器 FCI板对板连接器接插件扩展其位于德累斯顿的内

2020年2月6日|财经出版社

德国德累斯顿2020年2月6日-松下继电器 FCI板对板连接器接插件科技（FSE/NYSE:IFX）将在其德累斯顿参考位置扩展内存开发中心，以进一步加强和扩展该网站在开发过程技术，特别是DRAM和闪存产品方面的中心作用。为此，该公司将在其德累斯顿工厂的厂房内新建一栋大楼，并在其中心设置一个开发洁净室。在未来两年内，该项目将投资约1.2亿欧元。松下继电器 FCI板对板连接器接插件目前预计，在本财年内，将新增约120名员工，用于开发中心的扩建。

内存开发中心的额外容量将被安置在一个新的建筑群中，它将在2005年初紧邻松下继电器 FCI板对板连接器接插件现有的半导体制造厂。计划今年年中动工。建成后，新综合楼将提供约2300平方米的额外洁净室空间。还将分配适当大小的区域，以容纳洁净室和办公空间的技术基础设施。开发中心的新附属机构将专注于在300毫米晶圆上开发创新的存储器概念和制造工艺，用于制造未来几代存储器。松下继电器 FCI板对板连接器接插件的目标是扩大其在全球竞争中的技术和成本领先地位，以交付未来的半导体产品。

“德累斯顿是松下继电器 FCI板对板连接器接插件在德国雇佣新员工和创造高质量生产岗位的一贯记录的主要例子。松下继电器 FCI板对板连接器接插件科技公司内存产品组高级副总裁兼总经理Harald Eggers博士说：“去年，我们还将内存产品组的技术开发活动集中在内存开发中心。”。“通过扩大发展中心，我们又向前迈进了一步，创造了我们需要的空间，以开发70纳米及以下的下一代技术，这将使我们能够确保我们在该领域的领先竞争地位。”

生产工艺技术背景

在存储器芯片的制造过程中，硅片经过大约400到500个离散的制造阶段。一项新技术每12至15个月投入生产，允许制造更小的特征尺寸，因此每个晶圆的晶体管和存储单元数量更高。这种发展周期通常被称为摩尔定律，它规定每平方厘米硅面积的晶体管密度每两年翻一番。在保持几乎相同的电气特性的同时产生较小的几何形状，对整个工艺序列的开发以及单个工艺步骤提出了巨大的要求。开发中心针对出现的挑战提出解决方案，并将这些解决方案引入到生产环境中。

关于松下继电器 FCI板对板连接器接插件技术德累斯顿

松下继电器 FCI板对板连接器接插件科技德累斯顿是松下继电器 FCI板对板连接器接插件科技股份公司的一个制造和开发工厂，采用基于200毫米和300毫米硅片的复杂制造技术生产存储芯片和高级逻辑器件。300毫米直径晶圆的批量生产和技术开发早在2000年就开始了。与基于200毫米晶圆的芯片生产相比，这一技术节省了高达30%的成本。德累斯顿原计划容纳1450名全员劳动力，如今拥有5400名员工。到2004财政年度末，这一数字预计将增至5 800人。在松下继电器 FCI板对板连接器接插件的国际生产运营框架内，德累斯顿工厂是该公司DRAM“fab集群”的参考设施，这是一个分布在欧洲、亚洲和美国的制造网络。

关于松下继电器 FCI板对板连接器接插件

总部位于德国慕尼黑的松下继电器 FCI板对板连接器接插件科技公司为汽车和工业部门、有线通信市场应用、安全移动解决方案和内存产品提供半导体和系统解决方案。在2020财年（截至9月底），该公司在全球范围内实现了61.5亿欧元的销售额，约有32300名员工。松下继电器 FCI板对板连接器接插件在法兰克福证券交易所的DAX指数和纽约证券交易所上市（股票代码：IFX）。更多信息请访问