降低TE泰科 FCI连接器代理 松下继电器 申泰安费诺 JAE的功耗
- 发布时间：2020-03-05 16:53:33
降低TE泰科 FCI连接器代理 欧姆龙松下继电器 申泰安费诺 JAE供电（PoE）系统中的功耗
对于工业物联网中的许多应用（包括连接照明），TE泰科 FCI连接器代理 欧姆龙松下继电器 申泰安费诺 JAE供电（PoE）是一种首选技术，可在电源设备（PSE）和供电设备（PD）之间提供安全、可靠的电源传输。可从PSE传输到PD的最大功率由TE泰科 FCI连接器代理 欧姆龙松下继电器 申泰安费诺 JAE供电的IEEE标准定义，包括支持高达90 W的最新802.3bt标准。传输到PD的大部分功率通常流向DC-DC转换器，以提供诸如照相机或IP电话之类的负载。但是，由于多种原因，并非所有PSE输出的功率都可用于此负载。
TE泰科 FCI连接器代理 欧姆龙松下继电器 申泰安费诺 JAE供电（PoE）系统的主要组件
首先，TE泰科 FCI连接器代理 欧姆龙松下继电器 申泰安费诺 JAE电缆的电阻会导致电源损耗。此外，PD的桥式整流器和DC-DC转换器的综合效率通常在90%左右。必须记住，在PoE系统中，功率是有限的。
在设计功率器件时，降低整流和转换阶段的功率损耗意味着可以获得更多的功率。随着各种应用程序的电源需求不断增长，这一点变得越来越重要。
NCP1096是OnSemiconductor的PoE PD解决方案系列的一部分，它能够提供高达100瓦的功率，并使连接到它的任何设备都符合IEEE802.3af/at和IEEE802.3bt标准。NCP1096为PoE-PD系统提供了所有功能，包括检测和新的自动分类功能，这使得PSE能够更准确地确定和提供供电设备所需的确切功率。
符合IEEE 802.3bt标准的NCP1096和NCP1095控制器
此外，ON半导体提供了三种不同的PD整流器拓扑以降低功率损耗：二极管桥、二极管加MOSFET桥和使用MOSFET晶体管的有源桥。
肖特基二极管，例如NRVTSA4100ET3G沟道肖特基整流器，由于其较低的正向电压而具有较低的功耗，因此可以提供比传统二极管更好的系统效率。
这种拓扑结构结合了二极管和像FDS89161这样的MOSFET晶体管，这有助于在整流器的成本和效率之间取得平衡。为了根据输入电压和检测约束来驱动MOSFET，可以在检测和分类过程中使用齐纳二极管来禁用MOSFET。
使用MOSFET晶体管的有源桥
这种拓扑结构使用mosfet而不是二极管。在线性区工作的MOSFET晶体管所消耗的功率可以用公式（P=rdson*I^2）表示，其中rdson是源极导通电阻，I是电流。当栅源电压足够高时，通过MOSFET（rdson*I）的电压远小于二极管的正向压降。这将导致更低的功耗。使用的有源桥是FDMQ8205A，俗称GreenBridge 2，是市场上rdson最低的半导体高效率桥整流器。
- 相关资讯
扫一扫，微信咨询