莫仕连接器代理 板对板 jst领先的碳化(SiC) 连接器解决方案的
- 发布时间：2020-05-26 15:23:24
莫仕连接器代理 板对板 jst领先的碳化硅(SiC) mosfet解决方案的优势
作为一家领先的宽禁带莫仕连接器代理 板对板 jst制造商，安芯莫仕连接器代理 板对板 jst是这一技术的先驱，并创造了最低的RDSon碳化硅mosfet之一。我们提供一流的封装技术，一系列全面的节能电力解决方案，包括先进的碳化硅器件，如碳化硅mosfet，碳化硅二极管，碳化硅和氮化镓驱动器和集成模块。
随着两个新系列的引入，莫仕连接器代理 板对板 jst已经扩展了其宽带隙(WBG)器件的范围:1200伏(V)和900伏n通道SiC mosfet。随着这项技术的介绍，发现我们已经介绍的新碳化硅MOSFET的用例，以及我们的新碳化硅解决方案将最受益的最终应用。
1200 V SiC mosfet
问:什么是主要的特征NTHL020N120SC1, SiC碳化MOSFET, N的必经通道,1200 V, 20 mΩ?
答:NTHL020N120SC1的设计目标是在阻断电压(VDSS)为1200V的情况下，提供极低的传导损耗。此外,它旨在推动快速门内部阻力较低(Rg = 1.81Ω)和低输出电容(输出电容= 260 pf)。
问:与现有的莫仕连接器代理 板对板 jstSiC mosfet(在NTHL020N120SC1发布之前)相比，NTHL020N120SC1有哪些特性得到了改进?
答:这是我们的第一代碳化硅mosfet，所以我们不能与以前的设备相比。然而，我们的设备比市场上的其他设备有一些优势——强氧化物性能(VGS额定值+25V/- 15v)，没有Vth漂移，没有体二极管漂移，高开关速度，平稳的栅极驱动与dv/dt控制和强大的体二极管硬开关。
问:NTHL020N120SC1提供哪些有竞争力的规格?
答:我们的1200V碳化硅MOSFET器件在市场上很有竞争力，符合或优于大多数客户的规格。每个应用程序都关心不同的参数，但通常情况下，我们设计的部件能够快速运行，减少开关和传导损耗。我们通过实现一个低的RDSon，以及选择一个低的内部栅极电阻器来实现快速切换。我们设计的设备坚固耐用，具有超过100V/ns的快速瞬态免疫能力。
问:SiC的优点是什么?
答:SiC的优点在于材料本身具有比硅高10倍的介电击穿强度、高2倍的电子饱和速度、高3倍的能量差隙和高3倍的导热系数。系统效益提供最高的效率，降低功率损失，更大的功率密度，更高的工作频率，增加温度操作，减少电磁干扰，最重要的是，减少系统的规模和成本。
结束应用程序:
问:什么样的终端应用程序能够充分利用NTHL020N120SC1的主要特性?
答:通过减少BOM的含量和增加功率密度，各种各样的终端应用都将受益匪浅。这一点在太阳能逆变器和电动汽车(EV)充电站中得到了明显的应用。
问:为什么SiC MOSFET产品特别有利于太阳能逆变器和电动汽车充电站?这些申请是否有强烈的尺寸/形状因素的要求?如果有，您能告诉我们背景或需求吗?
答:传统上，大多数PFC阶段是复杂的，频率有限，从来没有达到超过98%的效率。使用碳化硅允许更少的组件(更少的复杂)，更小的钝化，更好的冷却，以及超过98%的效率。
问:小型太阳能逆变器和充电站的需求量大吗?如果是这样，原因是什么?
答:
太阳能逆变器:
目前在太阳能逆变器市场空间有两种趋势。莫仕连接器代理 板对板 jst估计占有TAM公司30%的市场份额。
1)多台小型逆变器，每行小于20kW，将直流电转换为交流电，并转化为大兆瓦逆变器
小型小于20kW的逆变器通常在PCF阶段采用离散SiC。对于有限责任公司，它是一个混合的SJ和SiC取决于时间表，成本和效率目标。
如果客户转移到SiC，有很多优点，但是栅极驱动电压更高，这是电路必须重新设计的缺点。
2)几个更大的逆变器> 20kW，采用多排面板，不馈入一个更大的
较大的逆变器> 20kW通常采用功率模块。
以前这些是IGBT模块，然后在过去的5年转向混合模块(IGBT + SiC二极管)，现在我们看到使用SiC MOSFET模块。
充电站:
充电站有4级电源。第1级和第2级是1/3相交流充电器。这些充电器不使用碳化硅和使用汽车的OBC充电电池。3级和4级是更高的功率和使用交流/直流充电杆，所以当你连接到汽车它直接充电电池。
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