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JANKCE1N5802

¥227.56
单二极管

DIODE GEN PURP 50V 1A DIE

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 1 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 50 V
Capacitance @ Vr, F25pF @ 10V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseDie
Supplier Device PackageDie
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C

新闻资讯

Microchip Technology 单二极管 产品 JANKCE1N5802

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