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STPSC6H12B-TR1

¥13.97
单二极管

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 6A DPAK

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io)6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.9 V @ 6 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr400 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F330pF @ 0V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C

新闻资讯

STMicroelectronics 单二极管 产品 STPSC6H12B-TR1

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