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SICRD5650

¥11.26
单二极管

DIODE SIL CARBIDE 650V 5A DPAK

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr60 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

新闻资讯

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