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WNSC6D04650Q

¥6.48
单二极管

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 4 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F233pF @ 1V, 1MHz
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-220-2
Supplier Device PackageTO-220AC
Operating Temperature - Junction175°C

新闻资讯

WeEn Semiconductors Co., Ltd 单二极管 产品 WNSC6D04650Q

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