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SF1008G

¥4.10
单二极管

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AB

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220AB
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

新闻资讯

Taiwan Semiconductor 单二极管 产品 SF1008G

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