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1N6665R

¥1447.85
单二极管

DIODE GEN PURP 150V 10A TO257

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)150 V
Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 6 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr250 nA @ 150 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-257-3
Supplier Device PackageTO-257
Operating Temperature - Junction200°C

新闻资讯

Microchip Technology 单二极管 产品 1N6665R

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