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1T6G

¥0.43
单二极管

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 1 A
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V
Capacitance @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseT-18, Axial
Supplier Device PackageTS-1
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

新闻资讯

Taiwan Semiconductor 单二极管 产品 1T6G

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