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NTE5819

¥42.19
单二极管

DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Current - Average Rectified (Io)12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 12 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)400 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 200 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeStud Mount
Package/ CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device PackageDO-4
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C

新闻资讯

NTE Electronics, Inc. 单二极管 产品 NTE5819

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