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SCS310APC9

¥22.03
单二极管

DIODE SILICON CARBIDE 650V 10A

参数名称参数值
Product StatusNot For New Designs
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 10 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F500pF @ 1V, 1MHz
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-220-2
Supplier Device Package-
Operating Temperature - Junction175°C (Max)

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单二极管 产品 SCS310APC9

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