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BSDD06G65E2

¥16.56
单二极管
Bourns, Inc.

DIODE SIC 650V 6A TO252

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 6 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F201pF @ 1V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

新闻资讯

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