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IDP08E65D1XKSA1

¥5.98
单二极管

DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)80 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-220-2
Supplier Device PackageTO-220-2
Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C

新闻资讯

Infineon Technologies 单二极管 产品 IDP08E65D1XKSA1

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