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US1BHE3_A/H

¥0.91
单二极管

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 1 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 100 V
Capacitance @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseDO-214AC, SMA
Supplier Device PackageDO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

新闻资讯

Vishay General Semiconductor – Diodes Division 单二极管 产品 US1BHE3_A/H

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