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VS-3EGU06-M3/5BT

¥3.17
单二极管

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Current - Average Rectified (Io)3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 3 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr3 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseDO-214AA, SMB
Supplier Device PackageDO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

新闻资讯

Vishay General Semiconductor – Diodes Division 单二极管 产品 VS-3EGU06-M3/5BT

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