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BAS116HYT116

¥2.59
单二极管

DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Current - Average Rectified (Io)215mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr5 nA @ 75 V
Capacitance @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
Operating Temperature - Junction150°C

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单二极管 产品 BAS116HYT116

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