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SCS215AEGC11

¥54.14
单二极管

DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)15A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.55 V @ 15 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr300 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F550pF @ 1V, 1MHz
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247
Operating Temperature - Junction175°C

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单二极管 产品 SCS215AEGC11

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