BYM10-800-E3/97
￥3.24
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 1 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/ Case | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Supplier Device Package | DO-213AB |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
新闻资讯
Vishay General Semiconductor – Diodes Division 单二极管 产品 BYM10-800-E3/97
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