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GF1M-E3/67A

¥4.32
单二极管

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Current - Average Rectified (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 1 A
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1000 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseDO-214BA
Supplier Device PackageDO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C

新闻资讯

Vishay General Semiconductor – Diodes Division 单二极管 产品 GF1M-E3/67A

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