| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 400pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | - |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
关于 SCS308APC9
SCS308APC9 是由 罗姆半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SILICON CARBIDE 650V 8A。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 8A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
SCS308APC9 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（40 µA @ 650 V）、Capacitance @ Vr, F（400pF @ 1V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-2） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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SCS308APC9 是由 罗姆半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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罗姆半导体 单二极管 产品 SCS308APC9
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