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RX1214B300YI112

¥3407.33
双极射频晶体管

RF POWER TRANSISTORS

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Frequency - Transition-
Noise Figure (dB Typ @ f)-
Gain8dB
Power - Max570W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Current - Collector (Ic) (Max)21A
Operating Temperature-
Mounting TypeChassis Mount
Package/ CaseSOT-439A
Supplier Device PackageCDFM2

新闻资讯

NXP Semiconductors 双极射频晶体管 产品 RX1214B300YI112

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