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BFP420E6327

¥1.15
双极射频晶体管

RF TRANSISTOR, X BAND, NPN

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)5V
Frequency - Transition25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gain21dB
Power - Max160mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 4V
Current - Collector (Ic) (Max)35mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSC-82A, SOT-343
Supplier Device PackagePG-SOT343-4

新闻资讯

Infineon Technologies 双极射频晶体管 产品 BFP420E6327

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