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BFP520FH6327

¥1.15
双极射频晶体管

LOW-NOISE SI TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)2.5V
Frequency - Transition45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)0.95dB @ 1.8GHz
Gain22.5dB
Power - Max120mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 20mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max)50mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package4-TSFP

新闻资讯

Infineon Technologies 双极射频晶体管 产品 BFP520FH6327

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