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MPSH11

¥0.43
双极射频晶体管

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)25V
Frequency - Transition650MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)-
Gain-
Power - Max350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)50mA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device PackageTO-92-3

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 双极射频晶体管 产品 MPSH11

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