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BF771E6765N

¥0.50
双极射频晶体管

RF TRANSISTOR, NPN

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Frequency - Transition8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain15dB
Power - Max580mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 30mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)80mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackagePG-SOT23-3-4

新闻资讯

Infineon Technologies 双极射频晶体管 产品 BF771E6765N

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