| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
| Power - Max | 400mW |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | TUMT6 |
关于 US6T8TR
US6T8TR 是由 罗姆半导体 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
US6T8TR 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（270 @ 200mA, 2V）、Power - Max（400mW）、Frequency - Transition（400MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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US6T8TR 是由 罗姆半导体 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
罗姆半导体 双极晶体管阵列 产品 US6T8TR
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