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RZ1214B35YI

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双极射频晶体管

RZ1214B35YI - MICROWAVE POWER TR

参数名称参数值
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Frequency - Transition-
Noise Figure (dB Typ @ f)-
Gain7dB
Power - Max125W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Current - Collector (Ic) (Max)3A
Operating Temperature-
Mounting TypeChassis Mount
Package/ CaseSOT-443A
Supplier Device PackageSOT443A

新闻资讯

Rochester Electronics 双极射频晶体管 产品 RZ1214B35YI

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