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MS2176

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双极射频晶体管
Microsemi

TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)28V
Frequency - Transition-
Noise Figure (dB Typ @ f)-
Gain9.5dB
Power - Max875W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 5A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)21.6A
Operating Temperature200°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package/ Case2L-FLG
Supplier Device Package2L-FLG

新闻资讯

Microsemi 双极射频晶体管 产品 MS2176

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