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23A017

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双极射频晶体管
Microsemi

TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Frequency - Transition3.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)-
Gain7.6dB
Power - Max6W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 200mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)800mA
Operating Temperature200°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package/ Case55BT
Supplier Device Package55BT

新闻资讯

Microsemi 双极射频晶体管 产品 23A017

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