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AT-42000-GP4

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双极射频晶体管
Broadcom

RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP

参数名称参数值
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Frequency - Transition9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Gain10.5dB ~ 14dB
Power - Max600mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 35mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)80mA
Operating Temperature200°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseDie
Supplier Device PackageChip

新闻资讯

Broadcom 双极射频晶体管 产品 AT-42000-GP4

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