参数名称 | 参数值 |
---|---|
Product Status | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequency - Transition | 9GHz |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
Gain | 10.5dB ~ 14dB |
Power - Max | 600mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 35mA, 8V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Operating Temperature | 200°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package/ Case | Die |
Supplier Device Package | Chip |
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