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BFR 193W E6327

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双极射频晶体管

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

参数名称参数值
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Frequency - Transition8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain10.5dB ~ 16dB
Power - Max580mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 30mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)80mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSC-70, SOT-323
Supplier Device PackagePG-SOT323

新闻资讯

Infineon Technologies 双极射频晶体管 产品 BFR 193W E6327

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