参数名称 | 参数值 |
---|---|
Product Status | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequency - Transition | 9GHz |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
Gain | - |
Power - Max | 500mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package/ Case | SOT-343 Reverse Pinning |
Supplier Device Package | 4-SO |
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NXP Semiconductors 双极射频晶体管 产品 BFG520W,115
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