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BFP620E7764

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双极射频晶体管

RF BIPOLAR TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)2.8V
Frequency - Transition65GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gain21.5dB
Power - Max185mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce110 @ 50mA, 1.5V
Current - Collector (Ic) (Max)80mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSC-82A, SOT-343
Supplier Device PackagePG-SOT343-4

新闻资讯

Infineon Technologies 双极射频晶体管 产品 BFP620E7764

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