| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 10mA, 10V |
| Power - Max | 200 mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SMT3 |
关于 MMST4126T146
MMST4126T146 是由 罗姆半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS GP BJT PNP 25V 0.2A 3-PIN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
MMST4126T146 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（82 @ 10mA, 10V）、Power - Max（200 mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 单双极晶体管 产品 MMST4126T146
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