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2SD1963T100Q

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单双极晶体管

TRANS GP BJT NPN 20V 3A 4-PIN(3+

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)20 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 2mA, 6V
Power - Max500 mW
Frequency - Transition-
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-243AA
Supplier Device PackageMPT3

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单双极晶体管 产品 2SD1963T100Q

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