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BCW68GE6327

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单双极晶体管

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor Type-
Current - Collector (Ic) (Max)800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Power - Max330 mW
Frequency - Transition200MHz
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackagePG-SOT23-3-1

新闻资讯

Infineon Technologies 单双极晶体管 产品 BCW68GE6327

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