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FJT44KTF

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单双极晶体管

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic750mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 10V
Power - Max2 W
Frequency - Transition-
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-261-4, TO-261AA
Supplier Device PackageSOT-223-4

新闻资讯

Texas Instruments 单双极晶体管 产品 FJT44KTF

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