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PBSS5230QAZ

¥0.43
单双极晶体管

NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic210mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 2A, 2V
Power - Max325 mW
Frequency - Transition170MHz
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case3-XDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageDFN1010D-3

新闻资讯

NXP Semiconductors 单双极晶体管 产品 PBSS5230QAZ

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