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2N2779

¥3533.54
单双极晶体管

POWER BJT

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)250 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic-
Current - Collector Cutoff (Max)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Power - Max200 W
Frequency - Transition-
Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting TypeStud Mount
Package/ CaseTO-211MB, TO-63-4, Stud
Supplier Device PackageTO-63

新闻资讯

Microchip Technology 单双极晶体管 产品 2N2779

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