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2N6308T1

¥2514.24
单双极晶体管

POWER BJT

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic5V @ 2.67A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce12 @ 3A, 5V
Power - Max125 W
Frequency - Transition-
Operating Temperature-65°C ~ 200°C
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-204AA, TO-3
Supplier Device PackageTO-204AD (TO-3)

新闻资讯

Microchip Technology 单双极晶体管 产品 2N6308T1

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