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JANS2N3439L

¥1667.02
单双极晶体管

POWER BJT

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Power - Max800 mW
Frequency - Transition-
Operating Temperature-55°C ~ 200°C
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device PackageTO-5AA

新闻资讯

Microchip Technology 单双极晶体管 产品 JANS2N3439L

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