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2N6582

¥798.55
单双极晶体管

POWER BJT

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic-
Current - Collector Cutoff (Max)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Power - Max125 W
Frequency - Transition-
Operating Temperature-
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-204AA, TO-3
Supplier Device PackageTO-204AD (TO-3)

新闻资讯

Microchip Technology 单双极晶体管 产品 2N6582

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