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2N5610

¥309.85
单双极晶体管

POWER BJT

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Power - Max25 W
Frequency - Transition-
Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-213AA, TO-66-2
Supplier Device PackageTO-66 (TO-213AA)

新闻资讯

Microchip Technology 单双极晶体管 产品 2N5610

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