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2N3019E3

¥96.01
单双极晶体管

SMALL-SIGNAL BJT

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Power - Max800 mW
Frequency - Transition-
Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device PackageTO-5AA

新闻资讯

Microchip Technology 单双极晶体管 产品 2N3019E3

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