| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | UMT3 |
关于 DTC115EU3HZGT106
DTC115EU3HZGT106 是由 罗姆半导体 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。DTC115EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 100 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms。
DTC115EU3HZGT106 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（82 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 250µA, 5mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（200 mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 单个预偏置双极晶体管 产品 DTC115EU3HZGT106
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