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PDTA143XQB-QZ

¥2.09
Nexperia

PDTA143XQB-Q/SOT8015/DFN1110D-

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Frequency - Transition180 MHz
Power - Max340 mW
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank
Package/ Case3-XDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageDFN1110D-3

新闻资讯

Nexperia 单个预偏置双极晶体管 产品 PDTA143XQB-QZ

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