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PDTA114YQB-QZ

¥2.09
Nexperia

PDTA114YQB-Q/SOT8015/DFN1110D-

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Frequency - Transition180 MHz
Power - Max340 mW
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank
Package/ Case3-XDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageDFN1110D-3

新闻资讯

Nexperia 单个预偏置双极晶体管 产品 PDTA114YQB-QZ

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