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NHDTA124ETR

¥1.58
Nexperia

NHDTA124ET/SOT23/TO-236AB

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
Resistor - Base (R1)22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Frequency - Transition150 MHz
Power - Max250 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageTO-236AB

新闻资讯

Nexperia 单个预偏置双极晶体管 产品 NHDTA124ETR

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