| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 2.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1.5A, 10V, 137mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V, 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 505pF @ 20V |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | 8-ECH |
关于 VEC2616-TL-H-Z
VEC2616-TL-H-Z 是由 德州仪器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。VEC2MOSN-CHANNP-CHANNARR632.5A。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)。
VEC2616-TL-H-Z 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（80mOhm @ 1.5A, 10V, 137mOhm @ 1.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.6V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10nC @ 10V, 11nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（505pF @ 20V）、Power - Max（900mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德州仪器：德州仪器公司（Texas Instruments Incorporated，简称TI）是一家全球领先的半导体设计和制造企业，专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才，TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。
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新闻资讯
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